LBSS138LT1G - (J1) SOT-23 Mosfet Transistör
LBSS138LT1G, elektronik endüstrisinde yaygın olarak kullanılan bir N-Kanal MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) transistördür. Bu kompakt ve verimli bileşen, SOT-23 (Small Outline Transistor) paket tipinde sunulmaktadır ve genellikle J1 olarak da bilinmektedir.
Bu MOSFET, düşük voltaj uygulamalarında mükemmel performans göstermek üzere tasarlanmıştır. 50V drain-source voltajı ve 200mA sürekli drain akımı kapasitesi ile LBSS138LT1G, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamaları için ideal bir seçimdir.
Kullanım Alanları:
- Seviye kaydırma devreleri (Level shifting circuits)
- Yük anahtarlama (Load switching)
- Güç yönetimi sistemleri (Power management systems)
- Batarya koruması (Battery protection)
- Sinyal yönlendirme (Signal routing)
- Analog anahtarlama (Analog switching)
- Mobil cihazlar ve taşınabilir elektronik ürünler (Mobile devices and portable electronics)
Teknik Özellikler:
- Kanal Tipi: N-Kanal (N-Channel)
- Paket Tipi: SOT-23
- Maksimum Drain-Source Voltajı: 50V
- Sürekli Drain Akımı: 200mA
- Düşük açılma direnci (Low on-resistance)
- Hızlı anahtarlama karakteristiği (Fast switching characteristics)
- Yüksek sıcaklık performansı (High temperature performance)
- ESD koruması (ESD protection)
LBSS138LT1G, kompakt boyutu, düşük güç tüketimi ve güvenilir performansı ile modern elektronik tasarımların vazgeçilmez bir parçasıdır. Özellikle taşınabilir cihazlar ve pil ile çalışan uygulamalar için uygun olan bu MOSFET, devre tasarımcılarına esneklik ve verimlilik sağlar.