HY3912W TO-247 Transistör
HY3912W, yüksek performanslı bir N-Kanal MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) transistördür. TO-247 kılıfında bulunan bu güç transistörü, yüksek akım ve voltaj gerektiren uygulamalar için ideal bir seçimdir.
HY3912W, düşük açık durum direnci (RDS(on)) ve yüksek akım taşıma kapasitesi ile öne çıkan bir MOSFET'tir. 125V'luk yüksek drain-source voltajı ve 190A'lık maksimum drain akımı sayesinde, güç elektroniği uygulamalarında mükemmel performans sunar. 349W'lık güç dağıtım kapasitesi, bu transistörün zorlu çalışma koşullarında bile etkin bir şekilde çalışmasını sağlar.
Kullanım Alanları
HY3912W transistör, aşağıdaki alanlarda yaygın olarak kullanılır:
- Güç kaynakları (Power supplies)
- Motor sürücüleri (Motor drivers)
- Anahtarlamalı güç kaynakları (Switched-mode power supplies)
- DC-DC dönüştürücüler (DC-DC converters)
- Yüksek frekanslı güç dönüştürücüleri (High-frequency power converters)
- Endüstriyel kontrol sistemleri (Industrial control systems)
- Otomotiv elektroniği (Automotive electronics)
Teknik Özellikler
- Transistör Tipi: N-Kanal MOSFET (N-Channel MOSFET)
- Maksimum Güç Dağıtımı (Maximum Power Dissipation): 349W
- Maksimum Drain-Source Voltajı (Maximum Drain-Source Voltage): 125V
- Maksimum Gate-Source Voltajı (Maximum Gate-Source Voltage): 25V
- Maksimum Gate-Eşik Voltajı (Maximum Gate-Threshold Voltage): 4V
- Maksimum Drain Akımı (Maximum Drain Current): 190A
- Maksimum Jonksiyon Sıcaklığı (Maximum Junction Temperature): 175°C
- Toplam Gate Yükü (Total Gate Charge): 185nC
- Yükselme Zamanı (Rise Time): 46nS
- Çıkış Kapasitansı (Output Capacitance): 750pF
- Maksimum Drain-Source Açık Durum Direnci (Maximum Drain-Source On-State Resistance): 0.0075 Ohm
- Kılıf Tipi (Package Type): TO-247
HY3912W transistör, düşük açık durum direnci ve yüksek akım kapasitesi sayesinde verimliliği optimize eder ve ısı üretimini minimize eder. Bu özellikler, özellikle yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında önemli avantajlar sağlar. TO-247 kılıfı, etkili ısı dağıtımı sağlayarak, transistörün zorlu çalışma koşullarında güvenilir bir şekilde çalışmasına olanak tanır.
