APM3055L TO-252 Mosfet Transistör
APM3055L, yüksek performanslı bir N-Kanal MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) transistördür. Bu TrenchFET güç MOSFET'i, düşük on-direnç ve yüksek akım taşıma kapasitesi ile öne çıkar. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu komponent, güç yönetimi uygulamaları için mükemmel bir seçimdir.
APM3055L, 30V drain-source gerilimi ve 20V gate-source gerilimi ile çalışabilen güçlü bir MOSFET'tir. Düşük açılma direnci (RDS(on)) sayesinde, yüksek verimlilik ve düşük ısı üretimi sağlar. Bu özellik, özellikle yoğun güç gerektiren uygulamalarda enerji tasarrufu sağlar. Ayrıca, hızlı anahtarlama özellikleri ile yüksek frekanslı uygulamalarda da üstün performans gösterir.
Kullanım Alanları
APM3055L MOSFET transistör, aşağıdaki alanlarda yaygın olarak kullanılır:
- DC/DC dönüştürücüler (DC/DC converters)
- Sunucu güç kaynakları (Server power supplies)
- Motor sürücüleri (Motor drivers)
- Batarya yönetim sistemleri (Battery management systems)
- Yük anahtarlama devreleri (Load switching circuits)
- Güç dağıtım uygulamaları (Power distribution applications)
Teknik Özellikler
- Kanal Tipi: N-Kanal (N-Channel)
- Maksimum Drain-Source Gerilimi (Maximum Drain-Source Voltage): 30V
- Maksimum Gate-Source Gerilimi (Maximum Gate-Source Voltage): 20V
- Maksimum Drain Akımı (Maximum Drain Current): 15A
- Açılma Direnci (RDS(on)): 0.007Ω (VGS = 10V'da), 0.009Ω (VGS = 4.5V'da)
- Toplam Gate Yükü (Total Gate Charge): 25 nC (tipik)
- Maksimum Güç Dağılımı (Maximum Power Dissipation): 50W
- Maksimum Jonksiyon Sıcaklığı (Maximum Junction Temperature): 150°C
- Paket Tipi (Package): TO-252 (DPAK)
- RoHS Uyumlu (RoHS Compliant)
APM3055L, yüksek performansı, düşük direnci ve geniş uygulama alanıyla modern elektronik tasarımlarda tercih edilen bir MOSFET transistördür. Özellikle güç verimliliği ve hızlı anahtarlama gerektiren projelerde mükemmel bir seçenek sunar.
