AOD413A TO-252 Mosfet
AOD413A, TO-252 paketinde bulunan yüksek performanslı bir N-Kanallı MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) komponentidir. Bu güçlü yarı iletken cihaz, düşük açık durum direnci ve yüksek akım taşıma kapasitesi ile öne çıkmaktadır.
AOD413A MOSFET, modern elektronik devrelerde güç yönetimi ve anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış kompakt ve verimli bir çözümdür. TO-252 paketi, iyi ısı dağılımı sağlarken aynı zamanda PCB üzerinde az yer kaplar. Bu MOSFET, düşük RDS(on) (drain-source açık durum direnci) değeri sayesinde enerji verimliliği sunar ve yüksek anahtarlama hızları ile karakterizedir.
Kullanım Alanları
AOD413A MOSFET, aşağıdaki alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır:
- Güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler
- Motor sürücüleri
- Batarya yönetim sistemleri
- Otomotiv elektroniği
- Endüstriyel kontrol sistemleri
- LED aydınlatma sürücüleri
Teknik Özellikler
- Transistör Tipi: MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
- Kanal Tipi: N-Kanal (N-Channel)
- Maksimum Güç Dağılımı (Pd): 50 W
- Maksimum Drain-Source Gerilimi (|Vds|): 25 V
- Maksimum Gate-Source Gerilimi (|Vgs|): 20 V
- Maksimum Gate-Eşik Gerilimi (|Vgs(th)|): 3 V
- Maksimum Drain Akımı (|Id|): 55 A
- Maksimum Jonksiyon Sıcaklığı (Tj): 175 °C
- Yükselme Zamanı (tr): 13.8 nS
- Çıkış Kapasitansı (Coss): 275 pF
- Maksimum Drain-Source Açık Durum Direnci (Rds): 0.008 Ohm
- Paket: TO-252
AOD413A MOSFET, yüksek akım kapasitesi ve düşük açık durum direnci ile güç yönetimi uygulamalarında mükemmel performans sunar. Kompakt TO-252 paketi, ısı yönetimi ve alan tasarrufu açısından avantaj sağlar. Bu MOSFET, modern elektronik tasarımlarda verimlilik ve güvenilirlik gerektiren projelerde tercih edilen bir komponenttir.
