AO4614B SOIC-8 Mosfet
AO4614B, yüksek performanslı ve düşük dirençli bir çift (dual) N-kanal MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) entegre devresidir. SOIC-8 (Small Outline Integrated Circuit) paketinde sunulan bu komponent, yüzey montaj teknolojisi (SMT) ile uyumludur ve çeşitli elektronik uygulamalarda güç yönetimi ve anahtarlama işlevleri için idealdir.
Bu MOSFET, düşük açık kanal direnci (RDS(on)) ve yüksek akım taşıma kapasitesi ile öne çıkar. Bu özellikler, cihazın verimliliğini artırır ve ısı üretimini minimize eder. AO4614B, hızlı anahtarlama karakteristikleri sayesinde yüksek frekanslı uygulamalarda da etkili performans gösterir.
Kullanım Alanları
AO4614B MOSFET, aşağıdaki alanlarda yaygın olarak kullanılır:
- Taşınabilir elektronik cihazlar (Portable electronic devices)
- Güç kaynakları (Power supplies)
- DC/DC dönüştürücüler (DC/DC converters)
- Batarya koruması devreleri (Battery protection circuits)
- Motor sürücüleri (Motor drivers)
- LED sürücüleri (LED drivers)
- Yük anahtarlama uygulamaları (Load switching applications)
Teknik Özellikler
- Paket tipi: SOIC-8 (Small Outline Integrated Circuit-8)
- Kanal tipi: Çift N-kanal (Dual N-channel)
- Maksimum drain-source gerilimi (VDS): 30V
- Sürekli drain akımı (ID): 8.5A
- Düşük açık kanal direnci (RDS(on)): Tipik olarak 14.5mΩ @ VGS = 4.5V
- Giriş kapasitansı (Ciss): 1450 pF
- Hızlı anahtarlama süresi: ton = 12ns, toff = 35ns (tipik)
- Çalışma sıcaklığı aralığı: -55°C ile +150°C arası
- Kurşunsuz ve RoHS uyumlu
AO4614B MOSFET, güç verimliliği, düşük ısı üretimi ve kompakt boyutu ile modern elektronik tasarımların gereksinimlerini karşılamak için mükemmel bir seçenektir. Yüksek performansı ve çok yönlülüğü, onu endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilen bir komponent haline getirmektedir.
