AO4407A SOIC-8 Mosfet Transistör
AO4407A, yüksek performanslı bir P-Kanal MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) transistördür. Bu SOIC-8 paketindeki güç transistörü, gelişmiş kanal teknolojisi sayesinde düşük RDS(ON) ve ultra düşük kapı yükü özelliklerine sahiptir.
AO4407A, 30V drain-source gerilimi ve -12A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamaları için ideal bir seçimdir. Gelişmiş kanal teknolojisi kullanılarak üretilen bu MOSFET, düşük açık durum direnci (RDS(ON)) ve çok düşük kapı yükü özelliklerini 25V kapı gerilimi derecesi ile birleştirir. Bu özellikler, yüksek verimlilik ve hızlı anahtarlama performansı gerektiren uygulamalar için AO4407A'yı mükemmel bir seçim haline getirir.
Kullanım Alanları
AO4407A MOSFET transistör, aşağıdaki alanlarda yaygın olarak kullanılır:
- Güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler
- Yük anahtarlama devreleri
- Motor sürücüleri
- Batarya koruması
- Otomotiv elektroniği
- Endüstriyel kontrol sistemleri
Teknik Özellikler
- Transistör Tipi: P-Kanal MOSFET (P-Channel MOSFET)
- Paket: SOIC-8
- Maksimum Güç Dağılımı (Maximum Power Dissipation): 3.1 W
- Drain-Source Gerilimi (Drain-Source Voltage) |VDS|: 30 V
- Gate-Source Gerilimi (Gate-Source Voltage) |VGS|: 25 V
- Maksimum Gate-Threshold Gerilimi (Maximum Gate-Threshold Voltage) |VGS(th)|: 2.8 V
- Maksimum Drain Akımı (Maximum Drain Current) |ID|: 12 A
- Maksimum Jonksiyon Sıcaklığı (Maximum Junction Temperature) TJ: 150 °C
- Toplam Gate Yükü (Total Gate Charge) QG: 30 nC
- Yükselme Zamanı (Rise Time) tr: 9.4 nS
- Çıkış Kapasitansı (Output Capacitance) COSS: 370 pF
- Düşük RDS(ON) değeri (yüksek verimlilik için)
- Ultra düşük kapı yükü (hızlı anahtarlama için)
AO4407A, yüksek performansı ve güvenilirliği ile güç elektroniği uygulamalarında tercih edilen bir MOSFET transistördür. Düşük açık durum direnci ve hızlı anahtarlama özellikleri, enerji verimliliği ve sistem performansını önemli ölçüde artırır.
