AO4405 SOIC-8 Mosfet Transistör
AO4405 SOIC-8 Mosfet Transistör, yüksek performanslı bir P-kanal güç MOSFET'idir. Bu transistör, düşük açık durum direnci ve hızlı anahtarlama özellikleri ile öne çıkmaktadır. SOIC-8 paketinde sunulan bu komponent, kompakt boyutu sayesinde alan kısıtlaması olan uygulamalar için idealdir.
Bu MOSFET, 30V'luk maksimum drain-source gerilimi ve 6A'lik yüksek drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında mükemmel performans sunar. 0.05 Ohm gibi oldukça düşük bir drain-source açık durum direncine (Rds(on)) sahip olması, iletim kayıplarını minimize ederek verimliliği artırır.
Kullanım Alanları:
- Yük anahtarlama devreleri
- DC-DC dönüştürücüler
- Batarya koruma devreleri
- Motor sürücüleri
- Güç dağıtım uygulamaları
- Taşınabilir elektronik cihazlar
Teknik Özellikler:
- Tip: P-Kanal MOSFET (P-Channel MOSFET)
- Maksimum güç dağılımı (Maximum Power Dissipation): 3.1 W
- Maksimum drain-source gerilimi (Maximum Drain-Source Voltage): 30 V
- Maksimum gate-source gerilimi (Maximum Gate-Source Voltage): 20 V
- Maksimum gate eşik gerilimi (Maximum Gate-Threshold Voltage): 2.4 V
- Maksimum drain akımı (Maximum Drain Current): 6 A
- Maksimum jonksiyon sıcaklığı (Maximum Junction Temperature): 150 °C
- Toplam gate yükü (Total Gate Charge): 4.6 nC
- Yükselme zamanı (Rise Time): 5.5 nS
- Çıkış kapasitansı (Output Capacitance): 100 pF
- Drain-source açık durum direnci (Drain-Source On-State Resistance): 0.05 Ohm
- Paket tipi (Package): SOIC-8
AO4405 SOIC-8 Mosfet Transistör, yüksek güvenilirliği ve üstün elektriksel özellikleri sayesinde modern elektronik tasarımlarda tercih edilen bir komponenttir. Düşük açık durum direnci ve hızlı anahtarlama kabiliyeti, enerji verimliliğini artırırken ısı oluşumunu azaltır. Bu özellikler, özellikle batarya ile çalışan cihazlarda ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında büyük avantaj sağlar.
