ST, gelecekteki elektrikli araç (EV) çekiş invertörleri için daha küçük boyut ve daha yüksek verimlilik sunan dördüncü nesil STPOWER SiC MOSFET’lerini piyasaya sürdü. 750-V ve 1200-V sınıflarında mevcut olacak bu cihazlar, 400-V ve 800-V baralı çekiş invertörlerinde enerji verimliliğini ve performansı artırarak SiC avantajlarını orta boy ve kompakt elektrikli araçlara getirecek.
ST’ye göre, 4. nesil SiC MOSFET’ler, önceki nesillere kıyasla önemli ölçüde daha düşük RDS(on) değerine sahiptir ve bu da iletim kayıplarını azaltır. Daha hızlı anahtarlama hızlarını destekleyerek anahtarlama kayıplarını düşürür. 4. nesil teknoloji ayrıca dinamik ters öngerilim koşulları altında daha yüksek dayanıklılık sunar ve AQG 324 otomotiv standardını aşar. Ayrıca, 4. nesil cihazların yonga boyutu, aynı RDS(on) değerinde ve 25°C sıcaklıkta 3. nesile kıyasla %12 ila %15 daha küçüktür, bu da daha kompakt güç dönüştürücü tasarımlarına olanak tanır.
ST, 750-V sınıfı için dördüncü nesil SiC platformunun yeterlilik sürecini tamamlamıştır ve 1200-V sınıfını 2025’in ilk çeyreğine kadar yeterlilikten geçirmeyi planlamaktadır. 750-V ve 1200-V cihazların ticari olarak piyasaya sürülmesiyle birlikte, tasarımcılar standart AC hattı gerilimlerinden yüksek voltajlı EV bataryaları ve şarj cihazlarına kadar çeşitli uygulamaları hedefleyebilecektir.
**Bu yazı ilk olarak edn websitesinde görülmüştür.
