IRFB3207ZPBF TO-220 Transistör

IRFB3207ZPBF, yüksek performanslı bir N-kanal güç MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) transistördür. TO-220 kılıf tipinde üretilen bu transistör, güç elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Düşük açık kanal direnci (RDS(on)) ve yüksek akım taşıma kapasitesi ile öne çıkan IRFB3207ZPBF, verimli güç yönetimi çözümleri sunmaktadır.

Kullanım Alanları

IRFB3207ZPBF transistör, aşağıdaki alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır:

- Anahtarlamalı güç kaynakları (Switched-mode power supplies)
- Motor sürücüleri (Motor drivers)
- DC-DC dönüştürücüler (DC-DC converters)
- Güneş enerjisi sistemleri (Solar power systems)
- Endüstriyel kontrol sistemleri (Industrial control systems)
- Otomotiv elektroniği (Automotive electronics)

Teknik Özellikler

- Kanal Tipi: N-kanal (N-channel)
- Kılıf Tipi: TO-220
- Maksimum Drain-Source Gerilimi (VDSS): 75V
- Sürekli Drain Akımı (ID): 120A
- Açık Kanal Direnci (RDS(on)): Tipik olarak 2.8 mΩ (VGS = 10V)
- Giriş Kapasitansı (Ciss): Tipik olarak 5800 pF
- Çıkış Kapasitansı (Coss): Tipik olarak 1100 pF
- Gate-Source Eşik Gerilimi (VGS(th)): 2-4V
- Maksimum Güç Dağılımı (PD): 330W
- Çalışma Sıcaklığı Aralığı: -55°C ile +175°C arası

IRFB3207ZPBF transistör, yüksek anahtarlama hızı ve düşük açık kanal direnci sayesinde, güç kayıplarını minimize ederek sistem verimliliğini artırır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı ve yüksek akım taşıma kapasitesi, zorlu endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir performans sağlar. Bu transistör, modern güç elektroniği tasarımlarında enerji verimliliği ve yüksek performans arayan mühendisler için ideal bir seçenektir.