C3M0120090 TO-247 Transistör
C3M0120090 TO-247 Transistör, yüksek performanslı bir Silisyum Karbür (Silicon Carbide - SiC) güç MOSFET'idir. Bu transistör, yüksek voltaj ve akım kapasitesi ile dikkat çeken, endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için tasarlanmış ileri teknoloji bir yarı iletken bileşendir.
Bu SiC MOSFET, geleneksel silikon tabanlı MOSFET'lere kıyasla daha yüksek sıcaklıklarda çalışabilme, daha düşük açma-kapama kayıpları ve daha yüksek anahtarlama frekansları gibi önemli avantajlar sunar. 900V'luk yüksek gerilim dayanımı ve 27A'lik akım kapasitesi, bu transistörü güç elektroniği uygulamalarında tercih edilen bir seçenek haline getirmektedir.
Kullanım Alanları:
- Güç kaynakları (Power supplies)
- Motor sürücüleri (Motor drives)
- Fotovoltaik inverterler (Photovoltaic inverters)
- Elektrikli araç şarj sistemleri (Electric vehicle charging systems)
- Endüstriyel otomasyon ekipmanları (Industrial automation equipment)
- Yüksek frekanslı güç dönüştürücüler (High-frequency power converters)
Teknik Özellikler:
- Paket tipi: TO-247 (TO-247)
- Drain-Source gerilimi: 900V (Drain-Source voltage)
- Sürekli drain akımı: 27A (Continuous drain current)
- Yarı iletken malzeme: Silisyum Karbür (Silicon Carbide - SiC)
- Düşük açma-kapama kayıpları (Low switching losses)
- Yüksek termal iletkenlik (High thermal conductivity)
- Yüksek sıcaklık dayanımı (High temperature resistance)
- Hızlı anahtarlama kabiliyeti (Fast switching capability)
C3M0120090 TO-247 Transistör, modern güç elektroniği tasarımlarında verimliliği artırmak ve sistem boyutlarını küçültmek isteyen mühendisler için mükemmel bir çözümdür. SiC teknolojisinin avantajlarını kullanan bu MOSFET, yüksek performanslı ve enerji verimli elektronik sistemlerin geliştirilmesinde kilit rol oynamaktadır.
