AUIRFS3107-7P TO-263-7 Mosfet Transistör
AUIRFS3107-7P, yüksek performanslı bir N-kanallı güç MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) transistördür. Bu transistör, düşük on-direnç ve yüksek akım taşıma kapasitesi ile öne çıkar, bu da onu güç yönetimi ve anahtarlama uygulamaları için ideal bir seçim haline getirir.
AUIRFS3107-7P, TO-263-7 (D2PAK) paketinde sunulan güçlü bir MOSFET'tir. 75V drain-source gerilimi ve 260A sürekli drain akımı ile karakterize edilir. Bu transistör, 0.0026 Ohm gibi son derece düşük bir RDS(on) (drain-source açık durum direnci) değeri sunar, bu da yüksek verimlilik ve minimum güç kaybı sağlar. 370W'lık maksimum güç dağıtımı, zorlu termal koşullarda bile güvenilir performans sağlar.
Kullanım Alanları
AUIRFS3107-7P, aşağıdaki alanlarda yaygın olarak kullanılır:
- Otomotiv elektroniği (automotive electronics)
- DC-DC dönüştürücüler (DC-DC converters)
- Motor sürücüleri (motor drivers)
- Güç kaynakları (power supplies)
- Batarya yönetim sistemleri (battery management systems)
- Endüstriyel otomasyon ekipmanları (industrial automation equipment)
Teknik Özellikler
- Transistör Tipi: N-Kanallı MOSFET (N-Channel MOSFET)
- Maksimum Drain-Source Gerilimi (Maximum Drain-Source Voltage): 75V
- Maksimum Gate-Source Gerilimi (Maximum Gate-Source Voltage): 20V
- Maksimum Drain Akımı (Maximum Drain Current): 260A
- Maksimum Güç Dağıtımı (Maximum Power Dissipation): 370W
- RDS(on) (Drain-Source Açık Durum Direnci): 0.0026 Ohm
- Toplam Gate Yükü (Total Gate Charge): 160 nC
- Çıkış Kapasitansı (Output Capacitance): 850 pF
- Yükselme Zamanı (Rise Time): 80 ns
- Maksimum Jonksiyon Sıcaklığı (Maximum Junction Temperature): 175°C
- Paket Tipi: TO-263-7 (D2PAK)
AUIRFS3107-7P, düşük on-direnci, yüksek akım kapasitesi ve mükemmel termal performansı ile güç elektroniği uygulamalarında üstün verimlilik ve güvenilirlik sağlar. Bu MOSFET, modern güç yönetimi sistemlerinin artan taleplerini karşılamak için tasarlanmıştır ve endüstriyel standartlara uygun olarak üretilmiştir.
