APM2014N TO-252 Mosfet Transistör

APM2014N, yüksek performanslı bir N-Kanal MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) transistördür. TO-252 paket tipinde üretilen bu komponent, düşük açılma direnci ve yüksek akım taşıma kapasitesi ile öne çıkmaktadır. Güç yönetimi uygulamaları için tasarlanan APM2014N, verimli ve güvenilir bir çözüm sunmaktadır.

Kullanım Alanları:

- Güç kaynakları

- DC-DC dönüştürücüler

- Motor sürücüleri

- Batarya yönetim sistemleri

- Otomotiv elektroniği

- Endüstriyel kontrol sistemleri

Teknik Özellikler:

- Transistör Tipi: MOSFET (Metal Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistör)

- Kanal Tipi: N-Kanal (N-Channel)

- Maksimum Güç Dağılımı (Maximum Power Dissipation): 50 W

- Maksimum Drain-Source Gerilimi (Maximum Drain-Source Voltage): 20 V

- Maksimum Gate-Source Gerilimi (Maximum Gate-Source Voltage): 16 V

- Maksimum Gate-Eşik Gerilimi (Maximum Gate-Threshold Voltage): 1.5 V

- Maksimum Drain Akımı (Maximum Drain Current): 30 A

- Maksimum Jonksiyon Sıcaklığı (Maximum Junction Temperature): 150 °C

- Toplam Gate Yükü (Total Gate Charge): 18.2 nC

- Yükselme Zamanı (Rise Time): 15 nS

- Çıkış Kapasitansı (Output Capacitance): 300 pF

- Maksimum Drain-Source Açık Durum Direnci (Maximum Drain-Source On-State Resistance): 0.014 Ohm

- Paket Tipi: TO-252

APM2014N, düşük açılma direnci sayesinde ısı kayıplarını minimize ederek yüksek verimlilik sağlar. 30 A'e kadar drain akımı taşıyabilme kapasitesi, yüksek güç gerektiren uygulamalar için idealdir. 20 V'luk drain-source gerilimi, çeşitli düşük ve orta voltajlı uygulamalarda kullanılmasına olanak tanır. TO-252 paket tipi, iyi ısı dağılımı sağlarken montaj kolaylığı da sunar. Bu özellikleriyle APM2014N, modern elektronik sistemlerin güç yönetimi ihtiyaçlarını karşılamak için mükemmel bir seçenektir.