AP9971GM SOIC-8 Mosfet Transistör
AP9971GM, yüksek performanslı bir N-Kanal MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) transistördür. SOIC-8 paket tipinde sunulan bu komponent, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamaları için ideal bir seçimdir. Düşük açık durum direnci ve yüksek akım taşıma kapasitesi ile öne çıkan AP9971GM, verimli ve güvenilir bir performans sunar.
Kullanım Alanları
AP9971GM MOSFET transistör, aşağıdaki uygulama alanlarında yaygın olarak kullanılmaktadır:
- Güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler
- Motor sürücüleri
- Batarya yönetim sistemleri
- LED aydınlatma kontrol devreleri
- Endüstriyel kontrol sistemleri
- Otomotiv elektroniği
Teknik Özellikler
AP9971GM MOSFET transistörün öne çıkan teknik özellikleri şunlardır:
- Transistör Tipi: N-Kanal MOSFET (N-Channel MOSFET)
- Maksimum Güç Dağılımı (Maximum Power Dissipation): 2 W
- Maksimum Drain-Source Gerilimi (Maximum Drain-Source Voltage): 60 V
- Maksimum Gate-Source Gerilimi (Maximum Gate-Source Voltage): 25 V
- Maksimum Gate Eşik Gerilimi (Maximum Gate-Threshold Voltage): 3 V
- Maksimum Drain Akımı (Maximum Drain Current): 5 A
- Toplam Gate Yükü (Total Gate Charge): 32.5 nC
- Yükselme Zamanı (Rise Time): 10 nS
- Çıkış Kapasitansı (Output Capacitance): 156 pF
- Maksimum Drain-Source Açık Durum Direnci (Maximum Drain-Source On-State Resistance): 0.05 Ohm
- Paket Tipi (Package Type): SOIC-8
AP9971GM, düşük açık durum direnci sayesinde ısı kayıplarını minimize ederek yüksek verimlilik sağlar. 60V'luk yüksek drain-source gerilimi dayanımı, çeşitli endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanım esnekliği sunar. 5A'lik yüksek akım kapasitesi, güç yönetimi uygulamalarında etkin performans sağlar. SOIC-8 paketi, kompakt PCB tasarımlarına uygun boyutuyla alan tasarrufu sağlar.