AP40T03GP TO-220 Mosfet Transistör
AP40T03GP, yüksek performanslı bir N-kanal MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) transistördür. Bu güç transistörü, düşük on-direnci ve yüksek akım taşıma kapasitesi ile dikkat çekmektedir. TO-220 paketinde sunulan bu komponent, çeşitli elektronik uygulamalarda güç kontrolü ve anahtarlama işlevleri için ideal bir seçimdir.
AP40T03GP, 30V drain-source gerilimi ve 25V gate-source gerilimi ile çalışabilen güçlü bir MOSFET'tir. 28A'e kadar drain akımı taşıyabilme özelliği, bu komponenti yüksek güç gerektiren uygulamalar için uygun kılmaktadır. 0.025 Ohm gibi oldukça düşük bir drain-source on-direnci (Rds(on)) sunarak, iletim kayıplarını minimize eder ve verimliliği artırır.
Kullanım Alanları
AP40T03GP MOSFET transistör, aşağıdaki alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır:
- Güç kaynakları (Power supplies)
- DC-DC dönüştürücüler (DC-DC converters)
- Motor sürücüleri (Motor drivers)
- Batarya yönetim sistemleri (Battery management systems)
- Aydınlatma kontrol devreleri (Lighting control circuits)
- Otomotiv elektronik sistemleri (Automotive electronic systems)
Teknik Özellikler
- Transistör Tipi: N-Kanal MOSFET (N-Channel MOSFET)
- Maksimum Güç Dağıtımı (Maximum Power Dissipation): 31.25 W
- Maksimum Drain-Source Gerilimi (Maximum Drain-Source Voltage): 30 V
- Maksimum Gate-Source Gerilimi (Maximum Gate-Source Voltage): 25 V
- Maksimum Gate-Eşik Gerilimi (Maximum Gate-Threshold Voltage): 3 V
- Maksimum Drain Akımı (Maximum Drain Current): 28 A
- Maksimum Jonksiyon Sıcaklığı (Maximum Junction Temperature): 150 °C
- Toplam Gate Yükü (Total Gate Charge): 8.8 nC
- Yükselme Zamanı (Rise Time): 62 nS
- Çıkış Kapasitansı (Output Capacitance): 145 pF
- Maksimum Drain-Source On-Direnci (Maximum Drain-Source On-State Resistance): 0.025 Ohm
- Paket Tipi (Package Type): TO-220
AP40T03GP, düşük on-direnci, yüksek akım kapasitesi ve verimli ısı yönetimi özellikleriyle modern güç elektroniği uygulamaları için mükemmel bir seçimdir. TO-220 paketi, kolay montaj ve etkili soğutma sağlayarak, bu MOSFET'in çeşitli projelerde güvenilir bir şekilde kullanılmasına olanak tanır.
