AP40T03GH TO-252 Mosfet Transistör

AP40T03GH, gelişmiş güç yönetimi uygulamaları için tasarlanmış yüksek performanslı bir N-Kanal Geliştirme Modu MOSFET'tir (N-Channel Enhancement Mode MOSFET). TO-252 paketinde sunulan bu transistör, düşük kapı yükü ve hızlı anahtarlama özellikleriyle öne çıkmaktadır. 30V drain-source gerilimi ve 28A drain akımı kapasitesi, bu MOSFET'i çeşitli endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için ideal bir seçim haline getirmektedir.

Kullanım Alanları

AP40T03GH MOSFET transistör, aşağıdaki alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır:

- Güç kaynakları (Power supplies)
- DC-DC dönüştürücüler (DC-DC converters)
- Motor sürücüleri (Motor drivers)
- Batarya yönetim sistemleri (Battery management systems)
- Otomotiv elektronikleri (Automotive electronics)
- Endüstriyel kontrol sistemleri (Industrial control systems)
- LED aydınlatma sürücüleri (LED lighting drivers)

Teknik Özellikler

- Transistör Tipi: N-Kanal MOSFET (N-Channel MOSFET)
- Maksimum Güç Dağılımı (Maximum Power Dissipation): 31.25 W
- Maksimum Drain-Source Gerilimi (Maximum Drain-Source Voltage): 30 V
- Maksimum Gate-Source Gerilimi (Maximum Gate-Source Voltage): 25 V
- Maksimum Gate-Threshold Gerilimi (Maximum Gate-Threshold Voltage): 3 V
- Maksimum Drain Akımı (Maximum Drain Current): 28 A
- Maksimum Jonksiyon Sıcaklığı (Maximum Junction Temperature): 150 °C
- Toplam Gate Yükü (Total Gate Charge): 8.8 nC
- Yükselme Zamanı (Rise Time): 62 nS
- Çıkış Kapasitansı (Output Capacitance): 145 pF
- Maksimum Drain-Source Açık Durum Direnci (Maximum Drain-Source On-State Resistance): 0.025 Ohm
- Paket Tipi (Package Type): TO-252

AP40T03GH, düşük RDS(on) değeri sayesinde yüksek verimlilik sağlar ve ısı dağılımını minimize eder. Hızlı anahtarlama özelliği, yüksek frekanslı uygulamalarda mükemmel performans sunar. TO-252 paketi, kompakt boyutu ve iyi ısı dağılım özellikleriyle alan kısıtlaması olan tasarımlar için uygundur. Bu MOSFET, güvenilirliği ve yüksek performansı ile elektronik tasarımcılar için değerli bir bileşendir.