2MBI100U4A-120-50 IGBT Modül
2MBI100U4A-120-50, yüksek performanslı bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor - Yalıtılmış Kapılı Bipolar Transistör) modülüdür. Bu gelişmiş güç elektroniği bileşeni, yüksek voltaj ve akım uygulamaları için tasarlanmış olup, endüstriyel ölçekte güç dönüşümü ve kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Bu IGBT modülü, 1200V'luk yüksek voltaj dayanımı ve 100A nominal akım kapasitesi ile öne çıkmaktadır. Modül, iki IGBT çipi ve bunlara paralel bağlı serbest geçiş diyotlarını tek bir paket içinde barındırarak, kompakt bir tasarım sunar. Fuji Electric tarafından üretilen bu modül, yüksek anahtarlama hızı, düşük anahtarlama kayıpları ve mükemmel termal performans gibi özellikleriyle dikkat çekmektedir.
Kullanım Alanları
2MBI100U4A-120-50 IGBT modülü, aşağıdaki gibi çeşitli uygulamalarda kullanılabilir:
- Endüstriyel motor sürücüleri
- Güneş enerjisi invertörleri
- Kesintisiz güç kaynakları (UPS)
- İndüksiyon ısıtma sistemleri
- Kaynak makineleri
- Elektrikli araç güç aktarma organları
- Rüzgar türbini dönüştürücüleri
Teknik Özellikler
- Maksimum kollektör-emiter voltajı: 1200V
- Nominal akım: 100A
- Düşük anahtarlama kayıpları
- Yüksek kısa devre dayanımı
- Gelişmiş termal yönetim
- İzole metal taban plakası
- Entegre sıcaklık sensörü
- Kompakt paketleme: 2'si bir arada tasarım
Bu IGBT modülü, yüksek güvenilirlik, verimlilik ve performans gerektiren uygulamalar için ideal bir seçimdir. Gelişmiş özellikleri sayesinde sistem tasarımcılarına güç elektroniği projelerinde esneklik ve optimizasyon imkanı sunar.
