BSS139H-623 Diyot
BSS139H-623, yüksek performanslı bir N-kanal MOSFET (Metal Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistör) diyotudur. Bu cihaz, düşük açık direnç (RDS(on)) ve yüksek geçiş frekansı özellikleriyle öne çıkar. Yüzey montaj teknolojisi (SMT) ile uyumlu olan BSS139H-623, kompakt boyutu sayesinde alan kısıtlaması olan uygulamalar için idealdir.
Kullanım Alanları
BSS139H-623 diyot, çeşitli elektronik uygulamalarda yaygın olarak kullanılır:
- Anahtarlama devreleri (Switching circuits)
- Yük anahtarlama (Load switching)
- DC-DC dönüştürücüler (DC-DC converters)
- Güç yönetimi sistemleri (Power management systems)
- Sinyal işleme devreleri (Signal processing circuits)
- Taşınabilir elektronik cihazlar (Portable electronic devices)
Teknik Özellikler
- Kanal Tipi: N-kanal (N-channel)
- Maksimum Drain-Source Gerilimi (VDS): 250V
- Sürekli Drain Akımı (ID): 0.2A
- Açık Direnç (RDS(on)): Tipik olarak 5.5 ohm @ VGS = 10V
- Giriş Kapasitansı (Ciss): Tipik olarak 10 pF
- Eşik Gerilimi (VGS(th)): 1.5V - 2.5V
- Çalışma Sıcaklığı Aralığı: -55°C ila +150°C
- Kılıf Tipi: SOT-23
BSS139H-623 diyot, yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmış olup, düşük güç tüketimi ve hızlı anahtarlama özellikleri ile modern elektronik tasarımlarda tercih edilen bir komponenttir. Güvenilirliği ve performansı ile öne çıkan bu MOSFET, elektronik mühendislerine ve tasarımcılara geniş bir uygulama yelpazesi sunmaktadır.
