2SJ201 TO-3P Transistör

2SJ201 TO-3P Transistör

SKU: MKS000915

2SJ201 TO-3P Transistör 2SJ201 TO-3P Transistör, yüksek performanslı bir P-kanallı MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) bileşenidir.

₺288,57 +KDV

22 adet stokta

22 adet stokta

2SJ201 TO-3P Transistör 2SJ201 TO-3P Transistör, yüksek performanslı bir P-kanallı MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) bileşenidir. Bu güçlü yarı iletken cihaz, elektronik devrelerde güç yönetimi ve anahtarlama uygulamaları için idealdir. 2SJ201, 200 V'luk yüksek bir drain-source gerilimi ve 12 A'lik maksimum drain akımı ile karakterize edilir. Bu özellikler, transistörün çeşitli yüksek güç uygulamalarında kullanılmasını sağlar. 150 W'lık maksimum güç dağıtımı kapasitesi, cihazın zorlu çalışma koşullarında bile güvenilir performans sunmasını sağlar. Düşük 0.2 Ohm drain-source açık durum direnci (Rds on resistance), bu MOSFET'in yüksek verimlilik gerektiren uygulamalarda mükemmel bir seçim olmasını sağlar. 20 V'luk maksimum gate-source gerilimi, güvenli çalışma aralığı sağlarken, 0.8 V'luk minimum gate-to-source kesme gerilimi, hassas kontrol için olanak tanır.

Kullanım Alanları:2SJ201 TO-3P Transistör, aşağıdaki alanlarda yaygın olarak kullanılır:

  • Güç kaynakları (Power supplies)
  • Motor sürücüleri (Motor drivers)
  • Anahtarlamalı güç düzenleyicileri (Switching power regulators)
  • DC-DC dönüştürücüler (DC-DC converters)
  • Ses amplifikatörleri (Audio amplifiers)
  • Endüstriyel kontrol sistemleri (Industrial control systems)

Teknik Detaylar:- Transistör Tipi: MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

  • Kanal Tipi: P-Kanal (P-Channel)
  • Maksimum Güç Dağıtımı (Maximum Power Dissipation): 150 W
  • Maksimum Drain-Source Gerilimi (Maximum Drain-Source Voltage): 200 V
  • Maksimum Gate-Source Gerilimi (Maximum Gate-Source Voltage): 20 V
  • Minimum Gate-to-Source Kesme Gerilimi (Minimum Gate-to-Source Cutoff Voltage): 0.8 V
  • Maksimum Drain Akımı (Maximum Drain Current): 12 A
  • Maksimum Jonksiyon Sıcaklığı (Maximum Junction Temperature): 150 °C
  • Çıkış Kapasitansı (Output Capacitance): 400 pF
  • Maksimum Drain-Source Açık Durum Direnci (Maximum Drain-Source On-State Resistance): 0.2 Ohm
  • Paket Tipi (Package Type): TO-3P 2SJ201 TO-3P Transistör, güvenilir performansı ve geniş çalışma aralığı ile elektronik tasarımcılar için mükemmel bir bileşendir. Yüksek güç uygulamalarında ve hassas kontrol gerektiren projelerde tercih edilen bu MOSFET, modern elektronik sistemlerin vazgeçilmez bir parçasıdır.

Mikrokomponent ile Tüm Elektronik Parça İhtiyaçlarınızda Güçlü Tedarik, Orijinal Ürün ve Hızlı Teslimat