FQPF5N20   TO-220F   3.5A 200V 32W 1.2OHM   N-CHANNEL MOSFET

Type Designator: FQPF5N20
   Type of Transistor: MOSFET
   Type of Control Channel: N -Channel
   Pdⓘ – Maximum Power Dissipation: 32 W
   |Vds|ⓘ – Maximum Drain-Source Voltage: 200 V
   |Vgs|ⓘ – Maximum Gate-Source Voltage: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ – Maximum Gate-Threshold Voltage: 5 V
   |Id|ⓘ – Maximum Drain Current: 3.5 A
   Tjⓘ – Maximum Junction Temperature: 150 °C
   Qgⓘ – Total Gate Charge: 6 nC
   trⓘ – Rise Time: 55 nS
   Cossⓘ – Output Capacitance: 40 pF
   Rdsⓘ – Maximum Drain-Source On-State Resistance: 1.2 Ohm
   Package: TO-220F